VISHAY SQJ910AEP-T1_GE3 MOSFET, DOUBLE CANAL N, 30V POWERPAK SO

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 30 A Gamme de produit TrenchFET Series Nombre de broches 4 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 30 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0058 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0058 ohm Dissipation de puissance Canal P 48 W Dissipation de puissance, Canal P 48 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor PowerPAK SO Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (10-Jun-2022)