TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM300NB06DCR RLG MOSFET DOUBL CANAL N 60V 25A PDFN56U

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Courant de drain continu Id, Canal P 25 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 25 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.025 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.025 ohm Dissipation de puissance Canal P 48 W Dissipation de puissance, Canal P 48 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor PDFN56U Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (17-Jan-2023)