ROHM QH8MC5TCR MOSFET, DUAL, N/ P-CH, 60V, 3A, TSMT

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 3 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 3 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.07 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.07 ohm Type de canal Canal N et P Dissipation de puissance Canal P 1.5 W Dissipation de puissance, Canal P 1.5 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TSMT Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)