ONSEMI NTMC083NP10M5L MOSFET CANAL N/ P, 100V, 4,1A, SOIC

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Courant de drain continu Id, Canal P 4.1 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 4.1 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0594 ohm Type de canal Canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0594 ohm Dissipation de puissance Canal P 3.1 W Dissipation de puissance, Canal P 3.1 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (14-Jun-2023)