STMICROELECTRONICS STB30N65DM6AG MOSFET,CANAL N, 650V, 28A, TO-263

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.102 ohm Gamme de produit MDmesh DM6 MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 28 A Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 223 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (23-Jan-2024)