DIODES INC. DMN2014LHAB-13 TRANSISTOR MOSFET DUAL, 20V, U-DFN2030-6

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 9.3 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 9.3 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.01 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.01 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.7 W Dissipation de puissance, Canal P 1.7 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor U-DFN2030 Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (23-Jan-2024)