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TOSHIBA TK55S10N1,LQ(O MOSFET, CANAL N, 100V, 55A, TO-252


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3870113
Fabricant:
     Toshiba
N°. du fabricant:
     TK55S10N1,LQ(O
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0055 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 55 A Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 157 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, TOSHIBA, TK55S10N1,LQ(O, 3870113, 387-0113
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