VISHAY SI3585CDV-T1-GE3 MOSFET, COMPL MENTAIRE, 20V 3.9A, TSOP

Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 3.9 A MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Courant de drain continu Id, Canal N 3.9 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.048 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.048 ohm Type de canal Complémentaire canal N et P Dissipation de puissance Canal P 1.4 W Dissipation de puissance, Canal P 1.4 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TSOP Qualification - SVHC No SVHC (07-Nov-2024)