INFINEON IMBG65R039M1HXTMA1 MOSFET, SIC, CANAL N, 650V, 54A, TO-263

Tension de test Rds(on) 18 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.039 ohm Gamme de produit CoolSiC M1 Trench Series MSL - Nombre de broches 7 Broche(s) Configuration du module MOSFET Simple Type de canal Canal N Courant de drain Id 54 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-263 Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 211 W Tension de seuil Vgs Max 4.5 V SVHC No SVHC (23-Jan-2024)