VISHAY SQD100N04-3M6_GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 100A, TO-252AA

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.003 ohm Gamme de produit TrenchFET Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 100 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-252AA Tension Vds max.. 40 V Dissipation de puissance 136 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 3.5 V SVHC No SVHC (17-Jan-2022)