VISHAY SQD10N30-330H_GE3 MOSFET, CANAL N, 300V, 10A, TO-252AA

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.275 ohm Gamme de produit TrenchFET Series MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 10 A Type de boîtier de transistor TO-252AA Tension Vds max.. 300 V Dissipation de puissance 107 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 3.8 V SVHC Lead (07-Nov-2024)