VISHAY SQD50P03-07_GE3 MOSFET, CANAL P, 30V, 50A, TO-252AA

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.005 ohm Gamme de produit TrenchFET Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 50 A Type de boîtier de transistor TO-252AA Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 136 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 2 V SVHC Lead (07-Nov-2024)