VISHAY SQ4470EY-T1_GE3 MOSFET, CANAL N, 60V, 16A, SOIC

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.01 ohm Gamme de produit TrenchFET Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 16 A Type de boîtier de transistor SOIC Tension Vds max.. 60 V Dissipation de puissance 7.1 W Qualification AEC-Q101 Tension de seuil Vgs Max 3 V SVHC No SVHC (07-Nov-2024)