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ROHM HP8M31TB1 MOSFET, CANAL N/P, 60V, 8,5A, 150°C, 7W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-3934697
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     HP8M31TB1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 8.5 A MSL - Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 8.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.046 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.046 ohm Type de canal Canal N et P Dissipation de puissance Canal P 7 W Dissipation de puissance, Canal P 7 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor HSOP Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, Double, puissance, Semiconducteurs, Transistors, ROHM, HP8M31TB1, 3934697, 393-4697
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