DIODES INC. DMN21D2UFB-7B MOSFET, CANAL N, 20V, 0,76A, X1-DFN1006

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.6 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 760 mA Type de boîtier de transistor X1-DFN1006 Tension Vds max.. 20 V Dissipation de puissance 380 mW Qualification - Tension de seuil Vgs Max 1 V SVHC No SVHC (27-Jun-2024)