DIODES INC. DMN62D1SFB-7B MOSFET, CANAL N, 60V, 0,41A, X1-DFN1006

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1.4 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 410 mA Type de boîtier de transistor X1-DFN1006 Tension Vds max.. 60 V Dissipation de puissance 470 mW Qualification - Tension de seuil Vgs Max 1.6 V SVHC No SVHC (27-Jun-2024)