DIODES INC. DMT6009LSS-13 MOSFET, N-CH, 60V, 10.8A, SOIC

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0072 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 10.8 A Type de boîtier de transistor SOIC Tension Vds max.. 60 V Dissipation de puissance 1.25 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2 V SVHC No SVHC (27-Jun-2024)