DIODES INC. ZXMN2B03E6TA MOSFET, CANAL N, 20V, 4,3A, SOT-26

Tension de test Rds(on) 4.5 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.04 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 6 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 4.3 A Type de boîtier de transistor SOT-26 Tension Vds max.. 20 V Dissipation de puissance 1.1 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 1 V SVHC No SVHC (27-Jun-2024)