DIODES INC. DMN3018SSD-13 MOSFET, DOUBLE, CANAL N, 30V, 8,7A

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 6.7 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 6.7 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.016 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.016 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 1.5 W Dissipation de puissance, Canal P 1.5 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)