DIODES INC. DMN3032LFDBQ-7 MOSFET, DOUBLE, CANAL N, 30V, 6,2A

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Courant de drain continu Id, Canal P 6.2 A Gamme de produit - Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 6.2 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.025 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.025 ohm Dissipation de puissance Canal P 1.7 W Dissipation de puissance, Canal P 1.7 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor UDFN2020 Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (23-Jan-2024)