DIODES INC. DMN6066SSD-13 MOSFET, DOUBLE, CANAL N, 60V, 3,3A

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 3.3 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 3.3 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.048 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.048 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 1.8 W Dissipation de puissance, Canal P 1.8 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)