DIODES INC. DMT10H017LPD-13 MOSFET, DOUBLE, CANAL N, 100V, 54,7A

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 54.7 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 54.7 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0137 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0137 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 78 W Dissipation de puissance, Canal P 78 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor PowerDI5060 Qualification - SVHC Lead (27-Jun-2024)