DIODES INC. ZXMHC3A01N8TC MOSFET, CANAL N/P, 30V, 2,17A

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 2.17 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 2.17 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.125 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.125 ohm Type de canal Double Canal N et double canal P complémentaire Dissipation de puissance Canal P 870 mW Dissipation de puissance, Canal P 870 mW Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)