DIODES INC. ZXMS6004DN8Q-13 MOSFET, DOUBLE, CANAL N, 60V, 1,2A

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 1.2 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 1.2 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.35 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.35 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 1.56 W Dissipation de puissance, Canal P 1.56 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification AEC-Q101 SVHC No SVHC (27-Jun-2024)