TOSHIBA TK10V60W,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 9,7A, DFN

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.327 ohm Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 5 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 9.7 A Type de boîtier de transistor ÁDFN Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 83.3 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3.7 V SVHC To Be Advised