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Produit
VISHAY SISA18BDN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N 30V 60A POWERPAK 1212
Quantité:
Pièce
Informations sur les produits
N° du produit:
7014-4006712
Fabricant:
Vishay
N°. du fabricant:
SISA18BDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0055 ohm Gamme de produit TrenchFET Gen IV Series MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 60 A Type de boîtier de transistor PowerPAK 1212 Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 36.8 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2.4 V SVHC Lead (07-Nov-2024)
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Semiconducteurs - Composants discrets
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MOSFET de puissance
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Transistors MOSFET Simple
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,
Simple
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SISA18BDN-T1-GE3
,
4006712
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400-6712
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