TOSHIBA TK10J80E,S1E(S MOSFET, N-CH, 800V, 10A, TO-3P

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.7 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 10 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-3P Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 250 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (10-Jun-2022)