NEXPERIA PSMN038-100HSX MOSFET, CANAL N, 100V, 21,4A, LFPAK56D

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 21.4 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 21.4 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.03 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.03 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 53 W Dissipation de puissance, Canal P 53 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor LFPAK56D Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)