NEXPERIA PSMN028-100HSX MOSFET, CANAL N, 100V, 29A, LFPAK56D

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 29 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 29 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.0215 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.0215 ohm Type de canal Canal N Dissipation de puissance Canal P 64 W Dissipation de puissance, Canal P 64 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor LFPAK56D Qualification - SVHC No SVHC (27-Jun-2024)