NEXPERIA PSMN9R3-60HSX MOSFET, CANAL N, 60V, 40A, LFPAK56D

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Courant de drain continu Id, Canal P 40 A Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 40 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.00764 ohm Type de canal Canal N Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.00764 ohm Dissipation de puissance Canal P 68 W Dissipation de puissance, Canal P 68 W Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor LFPAK56D Qualification - SVHC No SVHC (23-Jan-2024)