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INFINEON IQE013N04LM6SCATMA1 MOSFET, CANAL N, 205A, SON


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-4125849
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IQE013N04LM6SCATMA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0011 ohm Gamme de produit OptiMOS 6 Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 205 A Type de boîtier de transistor SON Tension Vds max.. 40 V Dissipation de puissance 107 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 2 V SVHC No SVHC (27-Jun-2018)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, Transistors, INFINEON, IQE013N04LM6SCATMA1, 4125849, 412-5849
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