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INFINEON IPB026N10NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 162A, TO-263


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-4134224
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IPB026N10NF2SATMA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0022 ohm Gamme de produit StronglRFET Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 162 A Type de boîtier de transistor TO-263 (D2PAK) Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 250 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3.8 V SVHC No SVHC (27-Jun-2018)
Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, INFINEON, IPB026N10NF2SATMA1, 4134224, 413-4224
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