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INFINEON IPT022N10NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 236A, HSOF


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-4134243
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     IPT022N10NF2SATMA1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.002 ohm Gamme de produit StronglRFET Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 175 °C Courant de drain Id 236 A Type de boîtier de transistor HSOF Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 250 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3.8 V SVHC No SVHC (27-Jun-2018)
Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms, Composants, discrets, puissance, Semiconducteurs, Simple, INFINEON, IPT022N10NF2SATMA1, 4134243, 413-4243
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