ROHM SH8ME5TB1 MOSFET, CANAL N ET P, 100V, 3.1W, SOP

Tension Drain Source Vds, Canal N 100 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 4.5 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 100 V Courant de drain continu Id, Canal N 4.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.045 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.07 ohm Type de canal Canal N et P Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOP Qualification - SVHC To Be Advised