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ROHM UT6MB5TCR MOSFET, CANAL N & P, 40V, 5A, DFN2020


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     7014-4168762
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     UT6MB5TCR
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Fiche technique du produit
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Tension Drain Source Vds, Canal N 40 V Courant de drain continu Id, Canal P 3.5 A Gamme de produit - Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 40 V Courant de drain continu Id, Canal N 5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.037 ohm Type de canal Canal N et P Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.095 ohm Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor DFN2020 Qualification - SVHC No SVHC (17-Jan-2023)
Autres mots de recherche: Composants, discrets, Double, puissance, Semiconducteurs, Transistors, ROHM, UT6MB5TCR, 4168762, 416-8762
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