ROHM UT6MC5TCR MOSFET, CANAL N & P, 60V, 3.5A, DFN2020

Tension Drain Source Vds, Canal N 60 V Gamme de produit - Courant de drain continu Id, Canal P 2.5 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 60 V Courant de drain continu Id, Canal N 3.5 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.073 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.22 ohm Type de canal Canal N et P Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor DFN2020 Qualification - SVHC To Be Advised