ROHM RD3P01BATTL1 MOSFET, CANAL P, 100V, 10A, TO-252

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.181 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 10 A Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 25 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised