YAGEO XSEMI XP3P020M MOSFET, CANAL P, 30V, 9.3A, SO-8

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.02 ohm Gamme de produit XP3P020 Series Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal P Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 9.3 A Type de boîtier de transistor SOIC Tension Vds max.. 30 V Dissipation de puissance 2.5 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3 V SVHC To Be Advised