YAGEO XSEMI XP6NA6R5H MOSFET, CANAL N, 60V, 66A, TO-252

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0065 ohm Gamme de produit XP6NA6R5 Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 66 A Type de boîtier de transistor TO-252 Tension Vds max.. 60 V Dissipation de puissance 2 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised