YAGEO XSEMI XP10N3R8IT MOSFET, CANAL N, 100V, 67,7A, TO-220

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.00388 ohm Gamme de produit XP10N3R8 Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 67.7 A Type de boîtier de transistor TO-220CFM Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 1.92 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised