YAGEO XSEMI XP10NA011J MOSFET, CANAL N, 100V, 48,5A, TO-251

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.011 ohm Gamme de produit XP10NA011 Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 48.5 A Type de boîtier de transistor TO-251 Tension Vds max.. 100 V Dissipation de puissance 1.13 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised