YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT MOSFET, CANAL N, 650V, 7A, TO-220CFM

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1.2 ohm Gamme de produit XP65AN1K2 Series Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 7 A Type de boîtier de transistor TO-220CFM Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 1.92 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised