YAGEO XSEMI XP3700M MOSFET, CANAL N & P, 30V, 7.8A, SOIC

Tension Drain Source Vds, Canal N 30 V Gamme de produit XP3700 Series Courant de drain continu Id, Canal P 5.5 A Nombre de broches 8 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 30 V Courant de drain continu Id, Canal N 7.8 A Résistance Etat ON Drain Source, Canal N 0.02 ohm Résistance Etat ON Drain Source, Canal P 0.045 ohm Type de canal Canal N et P Dissipation de puissance Canal P 2 W Dissipation de puissance, Canal P 2 W Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor SOIC Qualification - SVHC To Be Advised