TOSHIBA TK10E80W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 9,5A, TO-220

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.46 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 9.5 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220 Tension Vds max.. 800 V Dissipation de puissance 130 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)