TOSHIBA TK12A60W,S4VX(M MOSFET, CANAL N, 600V, 11,5A, TO-220SIS

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.265 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 11.5 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220SIS Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 35 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3.7 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)