TOSHIBA TK14G65W5,RQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 13,7A, D2PAK

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.25 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Courant de drain Id 13.7 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor D2PAK Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 130 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4.5 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)