TOSHIBA TK17E65W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 17,3A, TO-220

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.17 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 17.3 A Température de fonctionnement max.. 150 °C Type de boîtier de transistor TO-220 Tension Vds max.. 650 V Dissipation de puissance 165 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3.5 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)