TOSHIBA TK1K2A60F,S4X(S MOSFET, CANAL N, 600V, 6A, TO-220SIS

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 1 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 6 A Type de boîtier de transistor TO-220SIS Tension Vds max.. 600 V Dissipation de puissance 35 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised