TOSHIBA TK2P90E,RQ(S MOSFET, CANAL N, 900V, 2A, TO-252

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 4.7 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 2 A Type de boîtier de transistor TO-252 (DPAK) Tension Vds max.. 900 V Dissipation de puissance 80 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 4 V SVHC To Be Advised