TOSHIBA TK2R4E08QM,S1X(S MOSFET, CANAL N, 80V, 120A, TO-220

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.00197 ohm Gamme de produit - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Courant de drain Id 290 A Température de fonctionnement max.. 175 °C Type de boîtier de transistor TO-220 Tension Vds max.. 80 V Dissipation de puissance 300 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 3.5 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)